【摘 要】
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反馈ECL门是很适合于作为高速LSI电路的基本单元。遗憾的是,对于较高电压摆幅,这种门有一个降低抗干扰的滞后(hystersis)。本文将从理论上论证如何消除滞后,以及如何用射极电
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反馈ECL门是很适合于作为高速LSI电路的基本单元。遗憾的是,对于较高电压摆幅,这种门有一个降低抗干扰的滞后(hystersis)。本文将从理论上论证如何消除滞后,以及如何用射极电阻来优化转换特性。对于这种门,用目前已有工艺的参数来模拟评价,其功耗为1.6毫瓦,传播延迟时间小于0.6毫微秒。
The feedback ECL gate is well suited as the basic unit for high speed LSI circuits. Unfortunately, for higher voltage swings, this type of gate has a hysteresis that reduces noise immunity. This article will theoretically demonstrate how to eliminate hysteresis and how to optimize the conversion characteristics with emitter resistance. For this type of gate, the current process parameters are used to simulate the evaluation, the power consumption of 1.6 mW, propagation delay time of less than 0.6 ns.
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