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通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱(rutherford back scattering spectrometry,RBS)、透射电镜(transmission electron microscope,TEM)、俄歇电子能谱(auger electron spectroscopy,AES)、红外反射谱法(infrared reflection,IR)等手段对绝缘衬底上硅(silicon—on-insulator,SOI)微结构的分析研究,提出并建立了一种基于SOI有效介质近似理论的多层薄膜结构模型。基