【摘 要】
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本文研究了硫属玻璃半导体二极管开关结构的伏-安和电压-电容特性。列载了“存储”型和“非存储”型开关的伏-安特性。讨论了负电容与偏压电流变化、测量信号频率及温度的关
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本文研究了硫属玻璃半导体二极管开关结构的伏-安和电压-电容特性。列载了“存储”型和“非存储”型开关的伏-安特性。讨论了负电容与偏压电流变化、测量信号频率及温度的关系。
In this paper, the voltammetry and voltage-capacitance characteristics of the switch structure of chalcogenide glass semiconductor diodes are studied. The volt-ampere characteristics of the “storage” and “non-storage” switches are listed. The relationship between the negative capacitance and the bias current, the frequency of the measurement signal and the temperature is discussed.
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