高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 4次 | 上传用户：lee419444083

【摘要】

：

目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度,提高了制作成本,同时还影响了传感器灵敏度的提高等问题,提出了进行"生物分子膜"门电极的研究。传感器的表面采用3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)进行修饰作为分子识别元件固定的基底,该方法在降低传感器的制作成本的同时,提高了传感器的

【作者】

：

薛伟李加东谢杰吴东岷

【机构】

：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所国际实验室,中国科学院研究生院,

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2012年07期

【关键词】

：

高电子迁移率晶体管(HEMT) 生物传感器生物分子膜门电极灵敏度山羊免疫球蛋白

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