【摘 要】
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提出了一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元,实现了电路在超低电压下能稳定地工作,并降低了电路功耗.采用内在读辅助技术消除了读干扰问题,有效提高了低压下的读稳定性.
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
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提出了一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元,实现了电路在超低电压下能稳定地工作,并降低了电路功耗.采用内在读辅助技术消除了读干扰问题,有效提高了低压下的读稳定性.采用削弱单元反馈环路的写辅助技术,极大提高了写能力.该10管SRAM单元可消除半选干扰问题,提高位交错结构的抗软错误能力.在40 nm CMOS工艺下对电路进行了仿真.结果表明,该10管SRAM单元在低压下具有较高的读稳定性和优异的写能力.在0.4 V工作电压下,该10管SRAM单元的写裕度为传统6管单元的14.55倍.
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