三元合金Ga0.52In0.48P的时间分辨发光谱

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiongll

【摘要】

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在室温和低温液氮下,研究了有序和无序Ga0.2In0.48P的时间分辨发光谱.对实验结果的拟合表明,有序Ga052In0.48P的发光呈双指数规律衰退.其中快过程对应着有序区域上载流子的复

【作者】

：

高玉琳吕毅军郑建生蔡志岗桑海宇曾学然

【机构】

：

厦门大学物理系,厦门大学物理系,中山大学光电材料与技术国家重点实验室

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

时间分辨发光谱 Ⅲ-Ⅴ族半导体镓甸磷 timeresolved photoluminescence ⅢⅤ semiconductor GaInP

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在室温和低温液氮下,研究了有序和无序Ga0.2In0.48P的时间分辨发光谱.对实验结果的拟合表明,有序Ga052In0.48P的发光呈双指数规律衰退.其中快过程对应着有序区域上载流子的复合,慢过程则对应着有序区域和无序区域的空间分离中心上载流子的复合.无序Ga0.52In0.48P的发光在室温下呈单指数规律衰退.同时从低温下的时间分辨发光谱还可以看出有序样品的发光峰随着延迟时间的变长而蓝移,说明低温下在有序Ga0.52In0.48P中存在着载流子从无序区域到有序区域的转移.

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