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采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的GaAs衬底匹配（AIxGa1-x)0.51In0.49P外延材料的折射率。实验中测量的反射谱波长范围为0．5－2．5μm。在拟合实验数据过程中采用了单振子模型。折射率数据用于分析变量子阱GaInP/AIGaInP可见光激光二极管波导。计算出的器件远场图与实验数据吻合很好。