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采用固相法制备了添加B2O3的Li2MgSiO4陶瓷，研究了添加B2O3助剂对降低Li2MgSiO4陶瓷烧结温度的作用，以及B2O3对所制陶瓷的密度、相结构与微观形貌、微波介电性能的影响。结果表明，添加质量分数2％的B2O3就可在810℃的低温下实现Li2MgSiO4陶瓷的致密烧结，并获得较佳的介电性能：εr=5．84，Q·f=107000GHz（f=8GHz），可用于制作LTCC材料。