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采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5at％w基带上。成功连续制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量双面CeO2种子层薄膜。x射线衍射表明薄膜均为(001)方向生长，并存在很强的内面外织构；原子力显微镜表征缓冲层表面连续平整，颗粒致密无裂纹，通过对长样品两面和不同位置研究，表明所制备得到的双面薄膜具有很好的两面一致性和单面均匀性。采用相同的工艺条件生长YSz中间层以及CeO2模版层得到CeO2/YSZ/CeO23层缓冲层结构。并在其短样上采用直流溅射生长YBCO薄膜进一步验证过渡层薄膜的质量，YBCO薄膜具有较高的结晶质量；其单面临界电流密度Jc以达到1.3 MA/cm2，双面带材临界电流，lc为113A/cm。在总厚度增加不大的情况下，双面带材的提出，能够使电流承载水平成倍增加，其工程电流密度大幅度增加。并有利于器件小型化。