【摘 要】
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据《Laser Focus World》1993,2(5)报道:日本Anan Tokushima.Nichia化学工业公司Shuji Nakamara等人研制出一种峰值波长在411～420nm之间的InGaN/GaN双异质结发光二极管(LEDs)
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据《Laser Focus World》1993,2(5)报道:日本Anan Tokushima.Nichia化学工业公司Shuji Nakamara等人研制出一种峰值波长在411～420nm之间的InGaN/GaN双异质结发光二极管(LEDs)。这种InGaN外延层生长是随温度而定,并且可直接在GaN薄膜上生长这种高质量InGaN薄膜。
According to “Laser Focus World” 1993, 2 (5): Anan Tokushima of Japan. Shuji Nakamara of Nichia Chemical Industry Co., Ltd. has developed an InGaN / GaN double heterojunction light emitting diode with peak wavelength between 411 and 420 nm ). The growth of this InGaN epitaxial layer is temperature dependent, and this high quality InGaN film can be grown directly on GaN films.
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