【摘 要】
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采用PECVD技术，通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜．对多晶硅材料光照稳定性的研究表明，晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料，但仍然存在着光衰减；晶化率较高
【机 构】
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汕头大学物理系,深圳市宇光高科新能源技术有限公司
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采用PECVD技术，通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜．对多晶硅材料光照稳定性的研究表明，晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料，但仍然存在着光衰减；晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应，不存在光衰退现象；光照时多晶硅材料的电导率增加，光注入后因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移，激活能减小．
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