温度对ⅡD畴壁中VBL解体临界面内场的影响

来源 :河北师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wocaonima3344521
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实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响,研究发现,在室温到T0′的任一温度下,ⅡD畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[Hip^(1)(T),Hip^(2)(T)],当Hip≤Hip^(1)(T)时,ⅡD畴壁中VBL稳定存在;当Hip^(1)(T)<Hip<Hip^(2)(T)时,ⅡDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥HHip^(2)(T)时,ⅡD畴壁中VBL完全丢失.并且随
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