【摘 要】
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采用电化学沉积法，在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜，并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件。由SEM形貌观测分析，当薄膜名义厚度〉25nm时，可形成连续性镀层
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采用电化学沉积法，在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜，并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件。由SEM形貌观测分析，当薄膜名义厚度〉25nm时，可形成连续性镀层。I-t暂态曲线及STM结果表明，NiFe薄膜在低过电位下以三维岛状模式生长，在高过电位下以二维层状模式生长，其RMS表面粗糙度最小值仅为0．5nm。XRD结果表明，薄膜为面心立方Ni基固溶体结构，并具有明显的（111）晶面择优取向。当薄膜组成为Ni80Fe20时，各向异性磁电阻效应（AMR）最大，AMR值为1．8％。
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