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立方Ga As(100)衬底上制备GaN薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相，采用水平常压MOCVD方法在立方Ga As(100)衬底上制备了GaN薄膜。XRD测试 表明，薄膜具有单一的相。结合对工艺条件的分析，认为薄膜具有六方结构。最后，通过Raman光谱测试，证实在立方Ga As(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜，还对立方Ga As(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜 的原因进行了讨论。