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密度泛函理论研究了用HfCl4和Al（CH3）3作为前体，HfO2和Al2O3在硅表面的原子层沉积的机理，其包括2个沉积半反应：（1）HfCl4和Al—OH^＊的表面反应；（2）Al（CH3）3和Hf-OH^＊的表面反应。计算结果表明，2个半反应过程机理相似，内禀反应坐标研究也表明2个半反应经历了相似的过渡态和副产物的消除路径。另外，升高反应温度，反应（1）中间体的解吸附作用增强，而活化能降低，反应（2）活化能基本不变。