高模薄膜体声波谐振器（HBAR）的研究

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【摘要】

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高次模薄膜体声波谐振器（HBAR）具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能，在分析HBAR结构和工作模式的基础上，用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR，实验采

【作者】

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董树荣王德苗

【机构】

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浙江大学信电系

【出处】

：

传感技术学报

【发表日期】

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2006年05B期

【关键词】

：

FBAR HBAR 压电薄膜射频反应磁控溅射谐振频率 FBAR HBAR piezoelectric thin film RF reactive sp

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（50172042）

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高次模薄膜体声波谐振器（HBAR）具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能，在分析HBAR结构和工作模式的基础上，用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR，实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR，实测谐振频率间隔22MHz，与理论接近，显示了较好的频率特性，实验同时制备了的高C轴取向的AlN薄膜．

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