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目的：探讨低剂量电离辐射诱导EL-4细胞适应性反应中ATM基因的作用。方法：EL-4细胞应用渥曼青霉素处理后接受低剂量0.075 Gy预先照射,再分别进行较高攻击剂量照射（1.0,1.5和2.0 Gy）,RT-PCR和免疫荧光法检测ATM mRNA及蛋白表达。同时应用流式细胞术检测细胞凋亡和周期进程变化。结果：渥曼青霉素能够阻断ATM基因在mRNA及蛋白水平的表达。应用渥曼青霉素后直接接受攻击剂量照射和应用渥曼青霉素后先接受低剂量0.075Gy预先照射后再接受攻击剂量照射,均能诱导EL-4细胞发生适应性反