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硅含量对真空熔炼电阻靶材和电阻薄膜性能的影响
硅含量对真空熔炼电阻靶材和电阻薄膜性能的影响
来源 :电子工艺技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xq111
【摘 要】
:
采用真空熔炼方法研制新型溅射用高阻靶材,并试验靶材含硅量对溅射电阻薄膜性能的影响。
【作 者】
:
毛大立
王家敏
【机 构】
:
上海交通大学材料科学系,上海交通大学材料科学系200030,200030
【出 处】
:
电子工艺技术
【发表日期】
:
1993年5期
【关键词】
:
真空熔炼
溅射
高阻靶材
薄膜电阻
【基金项目】
:
上海市自然科学基金
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采用真空熔炼方法研制新型溅射用高阻靶材,并试验靶材含硅量对溅射电阻薄膜性能的影响。
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