【摘 要】
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日立制作所已制出了内置大容量快闪存储器的Ｆ-ＺＡＴ微型机“Ｈ8/3052Ｆ(512位)/3064Ｆ(256ｋ位)/3022Ｆ(256ｋ位)”的新产品。该产品的制作过程是采用了035μｍＡｌ3层布线ＣＭＯＳ工艺,内置了512ｋ位、256ｋ位的
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日立制作所已制出了内置大容量快闪存储器的Ｆ-ＺＡＴ微型机“Ｈ8/3052Ｆ(512位)/3064Ｆ(256ｋ位)/3022Ｆ(256ｋ位)”的新产品。该产品的制作过程是采用了035μｍＡｌ3层布线ＣＭＯＳ工艺,内置了512ｋ位、256ｋ位的单电源快闪存储器和8ｋ位的ＲＡＭ。另外,在ＬＳＩ内部还内置了
Hitachi has developed a new product called the H8 / 3052F (512-bit) / 3064F (256k-bit) / 3022F (256k-bit) F-ZAT miniature built-in high-capacity flash memory. The production process is the use of 035μmAl3 layer wiring CMOS technology, built-in 512k, 256k-bit single-supply flash memory and 8k of RAM. In addition, built-in LSI
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