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本文提出了一种新型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的小信号等效电路结构，并提取了等效电路结构的元件参数值，并进行了模块的S参数模拟S参数模拟。最后，将模拟结果与测试数据的差异进行比较。分析了所产生的器件模型的误差，论证了内置小信号模型的良好性能。
新型射频半导体电路优化建模技术研究
【摘 要】
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本文提出了一种新型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的小信号等效电路结构，并提取了等效电路结构的元件参数值，并进行了模块的S参数模拟S参数模拟。最后，将模拟结果与测
【机 构】
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南京恒电电子有限公司
【出 处】
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山东工业技术
【发表日期】
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2017年24期
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