【摘 要】
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介绍了SiC宽禁带半导体材料的特性，通过与Si和GaAs半导体相比较，该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有显著优点。SiC宽禁带功率器
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介绍了SiC宽禁带半导体材料的特性，通过与Si和GaAs半导体相比较，该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有显著优点。SiC宽禁带功率器件，尤其在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性和总效率等方面具有卓越的性能，在雷达发射机中有良好的应用前景。文章还详细论述了现代雷达对sic功率器件的具体指标要求。
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