InN,InGaN和InAlN干蚀损伤

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测出了电子回旋共振和反应离子腐蚀条件下暴露在氩等离子体下的InN,In_(0.5)Ga_(0.5)N 和 In_(0.5)Al_(0.5)N 层的导电率随射频功率、压力和暴露时间的变化。较高的微波和射频功率使氮化物的薄层电阻有了很大增长(10~10~4倍),但更典型的有效腐蚀工艺(射频功率小于150W)条件并不改变电性能。氮化物比其它的Ⅲ-Ⅴ族半导体对损伤更有抵抗力。去除和损伤有关的陷阱需约2.7eV的激活能量。 The electrical conductivity of InN, In_ (0.5) Ga_ (0.5) N and In_ (0.5) Al_ (0.5) N layers exposed to argon plasma under electron cyclotron resonance and reactive ion etching were measured with RF power, pressure and Changes in exposure time. Higher microwave and RF power have greatly increased the sheet resistance of nitrides (10 to 10 to 4 times), but the more typical effective etching process (RF power less than 150 W) does not change the electrical properties. Nitrides are more resistant to damage than other Group III-V semiconductors. Removing traps associated with damage requires about 2.7eV of activation energy.
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