砷化镓中的离子注入

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在半导体器件制造工艺中,离子注入技术日益广泛地得到应用。特别是在硅器件中,利用离子注入制作MOS器件和双极晶体管以及MOS集成电路等都已投入大量生产。预计在1975~1980年将实现全注入MOS及双极大规模集成电路。在化合物半导体中的离子注入技术也在进行广泛研究,特别是在砷化镓方面的研究已取得较大成果,正逐步应用于器件制造中。 In the semiconductor device manufacturing process, ion implantation technology is increasingly widely used. In silicon devices in particular, MOS devices and bipolar transistors and MOS integrated circuits have been put into mass production by ion implantation. It is estimated that from 1975 to 1980, full-injection MOS and bipolar LSI will be realized. In the compound semiconductor ion implantation technology is also widely studied, especially in the gallium arsenide research has made great achievements, is gradually used in device manufacturing.
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