【摘 要】
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研究了Cu/HfO_2/ITO和TiN/HfO_2/ITO_2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO_2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,
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研究了Cu/HfO_2/ITO和TiN/HfO_2/ITO_2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO_2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO_2/ITO器件,在TiN顶电极和HfO_2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制。
The resistance transition characteristics of Cu / HfO_2 / ITO and TiN / HfO_2 / ITO_2 resistive memory devices were studied. Both structures exhibit stable, repeatable bipolar resistance transition behavior. The resistance transformation mechanism of Cu / HfO 2 / ITO devices is the formation of Cu conductive filaments, whereas for TiN / HfO 2 / ITO devices, an interfacial layer is formed in the TiN top electrode and the HfO 2 thin film. Therefore, formation and fracture of oxygen vacancy conductive filaments , Is its main resistance transformation mechanism.
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