HfO2薄膜相关论文
采用原子层沉积(ALD)技术,以四(乙基甲基胺基)铪(TEMAHf)和去离子水为前驱体,沉积温度分别为150、200、250和300℃时,在单面抛光硅......
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研究了高k介质HfO2薄膜制备工艺和石墨烯原位沉积工艺的结合.采用真空电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上室温沉积HfO2薄膜,并对薄膜样品......
充氧口位置直接影响了真空室内的氧气分布，进而对薄膜的光学性能造成重要影响。为了研究充氧口位置对HfO2薄膜性质的影响，在2个典型......
用电子束蒸发沉积在K9玻璃基底上镀制HfO2薄膜,沉积温度为200℃,蒸发速率为0.03nm/s。由X射线衍射谱可知薄膜出现明显结晶,且为单......
激光系统中的光学薄膜极易受到高能激光的辐照而产生热损伤，因此研究长脉冲激光作用下光学薄膜的温度场非常重要。建立了二维轴对称......
采用直流磁控溅射法制备有序多孔氧化铪(HfO2)薄膜,讨论了不同氧流量制备条件所得样品的室温铁磁性.氧流量为4.67×10-8 m3/s时,制......
HfO_2薄膜被广泛应用于微电子、光学以及信息技术等高新技术领域,由于各种边界效应等因素的影响其热特性参数通常与体材料有很大的......
研究了Cu/HfO_2/ITO和TiN/HfO_2/ITO_2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu......
采用ZYGOMarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧......
以HfOCl2·8H2O为前驱体采用水热合成法制备了HfO2溶胶,采用旋涂法制备了HfO2-PVP薄膜。利用透射电镜和粒度分析仪观察和表征HfO2......
本文研究了不同沉积氛围(纯Ar,Ar+O2和Ar+N2)中射频磁控溅射制备HfO2薄膜的介电性能和界面微结构.实验结果表明在纯Ar氛围室温制备......
本文用射频磁控溅射方法在p-Si83Ge17/Si压应变衬底上沉积制备HfO2栅介质薄膜,研究其后退火处理前后的电学性能,并与相同条件沉积......
由于HfO2薄膜具有许多优异的物理特性，使它在现代电子学器件方面早已获得应用。本文以原子层沉积(ALD)技术在Si(001)衬底上制备......
采用电子束蒸发(EB)工艺在不同的沉积温度和氧分压参数下制备了HfO2单层膜.X 射线衍射(XRD)测试表明不同的非均质性对应不同的......
在高功率激光材料中，氧化物薄膜是非常重要的一类。采用电子束热蒸发制备氧化物薄膜时，靶材可以选用金属氧化物、纯金属或低价金属氧......
本文利用ORTUS-700电子束真空镀膜设备和X射线衍射仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱分析仪等多种分析方法,系统研究了用真空物理......
集成电路的飞速发展促使半导体材料和工艺不断更新换代,对于MOS器件栅极介质材料也提出了更高的要求,传统的SiO2栅极氧化层已逐渐......
本论文采用反应射频磁控溅射技术制备了一系列不同衬底温度的HfO2薄膜及不同Gd掺杂量的HfGdO薄膜,其中对于HfGdO薄膜,通过改变Gd靶......
采用电子束蒸发沉积方法在BK7玻璃基底和熔融石英基底上沉积了HfO2薄膜,研究了不同沉积温度下的应力变化规律。利用ZYGO干涉仪测量......
采用化学法制备了HfO2介质膜,研究了热处理、紫外辐照以及Al2O3复合对HfO2介质膜激光损伤阈值的影响.采用红外光谱(FTIR)和X射线衍......
薄膜应力的存在是薄膜材料的本征特性,对过程中薄膜应力的测量与精确控制具有重要意义.搭建了基于双光束偏转基底曲率测量装置,再......
氧化铪(HfO2)是一种简单的二元金属氧化物,具有宽禁带、高介电常数、高折射率、高透射、高抗激光损伤和高熔点等特点,在光电器件领......
随着现代集成电路的发展,传统的SiO2材料将不能适应现代工艺的需要。人们就提出了要以其他具有高介电常数的材料来代替SiO2,高K氧......
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、......
采用水热合成技术制备了HfO2胶体，用旋涂法镀制了单层HfO2介质膜．采用多种仪器设备对薄膜进行性能测试和表征，并用输出波长为1．06μm、......
Production of HfO2 thin films using different methods： chemical bath deposition, SILAR and sol-gel p
Hafnium oxide thin films(HOTFs) were successfully deposited onto amorphous glasses using chemical bath deposition, succe......
采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、傅......
用电子束蒸发方法沉积HfO2薄膜,用X射线衍射和透射光谱测定HfO2薄膜的结构特征和光学性能,并测定薄膜的弱吸收和损伤阈值。结果表......
采用等离子增强蒸发镀膜方法在石英玻璃上制备了HfO2薄膜,并进行了退火实验。利用X射线衍射（XRD）、纳米压入仪、紫外-可见分光光度计......
采用等离子氧化金属薄膜法制备了HfO2栅介质薄膜,并研究了HfO2栅介质薄膜的微结构和表面形态随退火温度的变化而发生的变化规律。......
采用射频磁控反应溅射法，以高纯热压HfO2陶瓷为靶材，在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律，并......
激光系统中的光学薄膜极易受到高能激光的辐照而产生热损伤，因此研究长脉冲激光作用下光学薄膜的温度场非常重要。建立了二维轴对称......
在有氧和无氧气氛条件下，采用真空电子束热蒸发技术在P—Si（100）硅衬底上制备了HfO2薄膜．利用X射线光电子能谱，对薄膜的化学组分进行表......
为了得到HfO2薄膜性能与工艺参数之间的关系,采用直流反应磁控溅射法在室温下沉积HfO2薄膜.通过正交实验分析了靶功率、靶基距和氩......
为了研究退火温度对HfO2薄膜应力、光学常数和表面粗糙度的影响，采用电子枪蒸镀法制备了薄膜样品，在不同温度下进行了退火处理。利用......
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基底上制备了有效氧化层厚度为8.6nm,介电常数为29.3的HfO2薄膜。借助X射线衍射(XRD)、原子力......
采用水热合成技术，制备了HfO2胶体，用旋涂法镀制了单层HfO2介质膜。采用XRD，椭偏仪，红外光谱（FTIR）等方法对薄膜进行了测试和表征，用输出......
采用脉冲激光沉积方法（PLD）在Si（100）衬底上生长了HfO2栅介质薄膜.利用X射线衍射（XRD）和扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）对其结构进行了表征,......
利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜，控制氧气流量从0mL／min以步长5mL／min递增至25mL／min（标况下）。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面......
以目前激光惯性约束聚变中应用最广泛的高折射率材料二氧化铪（HfO。）为研究对象，在熔石英基底上分别采用TEMAH和HfClt前驱体制备了HfO......
随着科学技术的不断发展,人们对光电子器件、半导体器件在性能和尺寸上要求越来越高,从而引发对纳米薄膜材料的研究热潮。氧化铪（Hf......
HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的，利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化，计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试，讨论了......
激光元件在大功率激光系统中往往会受到强激光辐照而发生损伤,提升激光元件的负载能力,保证大功率激光系统正常运行具有重要的意义......
原子层淀积系统FlexAL可以根据需求淀积超薄薄膜。设备采用等离子原子层淀积技术，能够在低温条件下得到高纯度、致密的薄膜，并且还能......
作为一种性能稳定的绝缘体，HfO2在电子、光学以及能量相关的领域中有着重要的应用。在本工作中，我们使用反应溅射方法在不同O2／Ar比例......
