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为了解决甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF—PECVD）制备薄膜的非均匀性问题，采用准平面电路模型计算，给出了平板电极间电势的非均匀分布规律。在计算模型中，射频源采用面馈入的模式取代了点馈入的模式，使计算结果更贴近实际。研究表明，在60MHz甚高频作用下，如果方形平板电极的边长超过1．3m，电势分布非均匀度将超过10％。此外，研究还发现：如果射频源功率馈入端圆形接触面的半径从1mm增加到22mm，电势分布非均匀度相对降低了45％，将大大的提高薄膜的均匀性。同时，计算结果还表明：在条件允许的情况下，如果