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采用溶胶凝胶法(Sol-gel)制备了CaSiO3基低温共烧陶瓷,在800℃、825℃、850℃、875℃下烧结,并对烧结样品进行了热重一差热分析、X射线扫描分析、扫描电子显微镜形貌分析。测试了在烧结温度为800℃、825℃、850℃、875℃下各样品的烧结密度和介电性能。结果表明Sol—gel法制备的CaSiO3基低温共烧陶瓷含有大量的CaSiO3晶相与少量的CaB2O4晶相,最佳烧结温度为850℃。在烧结温度为850℃时,CaSiO3基低温共烧陶瓷的烧结密度P=2.60g/cm^3,介电性能εr=5.