Si—SiGe—Si异质结双极晶体管的数字模拟

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woshishen654123

【摘要】

：

报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区

【作者】

：

郭宝增

【机构】

：

河北大学电子系保定071002

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1992年4期

【关键词】

：

异质结数字模拟双极晶体管 Heterojunction Numerical Simulation

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报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区掺杂浓度为1.4×1017cm-3,基区掺杂浓度为7×1018cm-3,SiGe基区中Ge摩尔含量为0.31,模拟得到的最高电流增益为

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