【摘 要】
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理论上认为，由于Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中硅层（阱层）的电子和空穴都受到极强的量子限制效应，硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙，从而发光效率大大提高。实验上，在非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中观察到在
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
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理论上认为，由于Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中硅层（阱层）的电子和空穴都受到极强的量子限制效应，硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙，从而发光效率大大提高。实验上，在非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中观察到在可见光波段的室温光致发光和明显的量子限制效应现象。晶体Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格研究也取得了初步的结果。
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