硅纳米线的合成及表征

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aihuibulai
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
目前已通过气-液-固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线,电镜、能量色散X射线分析、X射线光电子能谱、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱、I-V测量、光致发光、场发射、电子输运测量等是表征硅纳米线的有效手段,介绍了硅纳米线在合成及表征方面的最新进展,并对其发展做了展望.
其他文献
非晶硅薄膜晶体管由于其较高的沟道电流温度系数而被用于非致冷型红外探测器。在工艺参数仿真的基础上成功地研制了离子注入型背栅非晶薄膜晶体管,并得到了典型的输出特性。制
以磺胺类药物(SFAs)为模板分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,模拟研究磺胺类约物的分子印迹聚合物。通过密度泛函理论的计算,分析反应介质对印迹聚合物制备过程的影响,并从分了水、卜
采用表面微机械技术制作了一种1310nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry—Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径约为70μm,在1.4V的调谐电压下,调谐范围达到15n