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硅纳米线的合成及表征
硅纳米线的合成及表征
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aihuibulai
【摘 要】
:
目前已通过气-液-固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线,电镜、能量色散X射线分析、X射线光电子能谱、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱、I-V测量、光致
【作 者】
:
裴立宅
唐元洪
陈扬文
张勇
郭池
【机 构】
:
湖南大学
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
2005年3期
【关键词】
:
硅纳米线
掺杂
表征
性能
Si nanowire
doping
characterization
properties
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目前已通过气-液-固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线,电镜、能量色散X射线分析、X射线光电子能谱、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱、I-V测量、光致发光、场发射、电子输运测量等是表征硅纳米线的有效手段,介绍了硅纳米线在合成及表征方面的最新进展,并对其发展做了展望.
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