应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rangman

【摘要】

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运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延

【作者】

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马通达屠海令邵贝羚刘安生胡广勇

【机构】

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北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析检测中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

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TAD-DCD RLM 应变SI

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目(批准号:50502008)

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运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.

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