【摘 要】
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相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离(SACM)的锗/硅雪崩光电二极管(APD),水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题.选用绝缘体上硅(SOI
【机 构】
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大连理工大学微电子学院,辽宁大连 116024;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029;中国科学院大学,北京 100049
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相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离(SACM)的锗/硅雪崩光电二极管(APD),水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题.选用绝缘体上硅(SOI)晶圆片,基于0.18 μm CMOS兼容工艺制备了一种高性能的波导集成水平锗/硅APD.对APD的器件参数进行了晶圆级测试,包括暗电流、光响应度以及带宽.测试结果表明,吸收区宽度为0.5μm、两侧间隔区宽度为0.8 μm的器件在反偏电压-27.5 V下光响应度高达75.89 A/W,间隔区宽度为0.3 μm时雪崩击穿电压低至-6.5V,且可在0.9倍雪崩击穿电压附近测得3 dB带宽达20.06 GHz.
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