锗硅相关论文
采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款高集成度的六位宽带有源矢量合成移相器,该有源矢量合成移相器采用定制设计的超宽带无源......
首次对Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／Ｓｉ应变超晶格光探测器中的光场分布进行了分析和研究，发现这种应变超晶格在总厚度Ｌ＝３４０ｎｍ的情况下，周期数Ｍ≥１５．５才能传输单模光波．另外，还计算......
在全硅和GeSi电光强度调制器研究的基础上，提出了一种新型的电光强度调制器结构，目的在于减小调制电流和提高调制频率。
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利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气体，在２ 英寸到３英寸的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５ ℃，６１０ ℃......
报道了一种性能良好的 Si Ge功率放大器 ,具有用于无线通信的前景 .在 B类模式下工作时 ,输出功率可以达到 30 d Bm.在 AB类模式下......
文中介绍了一种基于锗硅BICMOS的宽带低噪声放大器的设计。此放大器工作在2.7 GHz～3.5 GHz的频带,采用0.18μm的锗硅工艺和cascode......
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的......
基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择......
硅基光子技术通过光互连方式实现光子器件与光电器件的大规模集成,在数据中心、光通信等高容量应用场景中得到广泛关注。高性能的......
通过理论分析与计算机模拟 ,给出了以提高跨导为目标的 Si/ Si Ge PMOSFET优化设计方法 ,包括栅材料的选择、沟道层中 Ge组分及其......
利用高温常压氧化技术对外延生长SiGe层的SiGe/SOI结构进行高温氧化,研究了氧化过程中SiGe层中Ge、 Si元素浓度变化情况。结果......
本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器。调制器集成了脊形硅单模波导。光由脊形硅波导以倏逝波形式耦......
介绍了锗硅HBT生产中获得的关于参数控制与成品率控制方面的经验。论述了生产中的标准工艺模块及其监控手段，以及影响EB结击穿......
锗硅是一种继硅和砷化镓之后的重要半导体材料。由于SiGe HBT器件可达到化合物半导体器件性能，且与传统体硅工艺兼容，因此具有很......
介绍了具有自主知识产权的微波低噪声锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)，给出了器件的基本结构及它的基本工艺流程。通过对集电......
本文介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的锗硅/硅(SiGe/Si)结构的异质结双极晶体管(HBT)的研制.在该项研究工作中,SiGe/Si薄膜是用......
该文提出利用ＳｉＧｅ肖特基ＨＢＴ器件在高频、高速方面的优势提高硅双极型器件的微波功率特性；在解决了在ＳｉＯ〈，２〉窗口上生长高质量大面积ＳｉＧｅ薄膜等关键......
本文采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术,对较低的温度(550～660℃)下生长硅和锗硅外延工艺及其应用进行研究。主要包括锗硅单层......
锗硅热电材料是一种性能优越的高温域热电材料，SiGe合金单晶的ZT值也可以达到0.65，是很有潜力的热电材料。适合制造由放射线同位素供......
随着移动通讯,卫星通信,无线局域网以及高速计算机的广泛应用,超高速数字集成电路和微波集成电路越来越成为人们研究和开发的重点.......
学位
在叙述锗硅(SiGe)合金结构特性的基础上，根据其生长层的临界厚度，对Si基SiGe光波导的单模条件、截止特性、以及与单模光纤数值孔径匹......
给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条......
设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测......
多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在......
三代(3G)无线通信正在快速地变成现实.3G得以成功实施,一个重要的原因是在传输的两端扮演了支撑角色的锗硅(SiGe)双极和BiCMOS工艺......
介绍了一种基于HICUM模型建立高速锗硅异质结双极可缩放模型的流程,结合一批不同物理设计尺寸晶体管的测试数据,建立了HICUM模型参......
提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。......
系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文对以砷化镓和锗硅为主的化合物半导体集成电路产业的现状及其在移动通信领域的应用做出了描述,并对其发展前景做了预测.......
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on ......
首次报导了光电导型混晶Si1-xGex 波导探测器。混晶Si1-xGex 是在硅基SiON/SiO2 /Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经 6 50......
报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压......
研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的......
采用同步辐射X射线对MBE制备的锗硅量子点试样进行了掠入射小角X射线散射(GISAXS,grazing incidence small angle X-ray scatterin......
期刊
应用标准0．35μm SiGe BiCMOS工艺设计一个Colpitts压控振荡器并流片。采用线性时变模型（LTV）分析振荡器的相位噪声。在3．3V电源电压下......
通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量......
采用同步辐射X射线对MBE制备的锗硅量子点试样进行了掠入射小角X射线散射（GISAXS，grazing incidence small angle X-ray scattering）......
为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管．利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定......
设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）功率放大器。该放大器使用3．3V电源，内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片......
