汞原子塞曼效应分裂谱线相对强度的测量

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【摘要】

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为了研究塞曼效应分裂谱线的相对强度，分析了Hg（546．1nm）谱线能级在外磁场中的分裂情况，详细给出了分裂能级的量子数分布和理论相对强度；在此基础上采用CCD拍摄了分裂谱线干涉圆环

【作者】

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李武军王晓颖

【机构】

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西安工业大学数理系

【出处】

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大学物理

【发表日期】

：

2009年4期

【关键词】

：

塞曼效应磁场 CCD图像相对强度 Zeeman effect magnetic field CCD image relatively intensity

【基金项目】

：

基金项目：西安工业大学“十一五”高等教育教学研究及改革工程重点研究项目（Z71111）资助

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为了研究塞曼效应分裂谱线的相对强度，分析了Hg（546．1nm）谱线能级在外磁场中的分裂情况，详细给出了分裂能级的量子数分布和理论相对强度；在此基础上采用CCD拍摄了分裂谱线干涉圆环的图像，并对其进行了强度分析，通过图像强度处理得到各分裂谱线相对强度与理论分析结果十分接近；表明采用CCD图像技术能较好的分析塞曼效应现象和规律．

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