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采用基于第一性原理的贋势平面波方法，对不同类型点缺陷单层MoS2电子结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算.计算结果表明：单层MoS2属于直接带隙半导体，禁带宽度为1.749eV，Mo空位缺陷V－Mo的存在使得单层MoS2转化为间接带隙Eg ＝0.660eV的p型半导体，S空位缺陷V－S使得MoS2带隙变窄为Eg ＝0.985eV半导体，S原子替换Mo原子S－Mo反位缺陷的存在使得MoS2转化为带隙Eg ＝0.374eV半导体；Mo原子替换S原子Mo－S反位缺陷形成Eg ＝0.118eV直接带隙半导体.费米能级附近的电子态密度主要由Mo的4d态和s的3p态电子贡献.光学性质计算表明：空位缺陷对MoS2的光学性质影响最为显著，可以增大MoS2的静态介电常数、折射率n0和反射率，降低吸收系数和能量损失.