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本文报告了研制MJ11033（β>1000,IC=50A）达林顿晶体管的设计原则、主要制造工艺,提出了制造大阻值内偏电阻R1的Al—SiO2双层抗蚀膜两步化学腐蚀法,比较了台面结构与平面结构的单片大功率达林顿晶体管的制造工艺,证明了前者优于后者。更多还原
用两步化学腐蚀法研制大功率达林顿管
【摘 要】
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本文报告了研制MJ11033（β>1000,IC=50A）达林顿晶体管的设计原则、主要制造工艺,提出了制造大阻值内偏电阻R1的Al—SiO2双层抗蚀膜两步化学腐蚀法,比较了台面结构与平面结构的
【机 构】
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西安交通大学,抚顺国营八二三一厂
【出 处】
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西安交通大学学报
【发表日期】
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1989年5期
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