论文部分内容阅读
为了研究基于AFM的单晶铜薄膜压痕过程，建立了单晶铜薄膜纳米压痕过程的三维分子动力学模型。采用对势Morse势计算试件原子之间，试件原子和压头原子之问的相互作用。模拟了不同压人深度（0、0．361、0．722、1．083nm）的压痕过程，分析了压入深度对压头应力、系统势能变化的影响。结果显示，单晶铜薄膜的纳米压痕的力学机理是非晶态产生的变形。当压入深度增加时，系统势能变化增大（最大的压入深度对应的系统势能变化为-83900～-83400eV），压头受力变化增大（最大压力深度对应的受力为-0．3～70nN）