【摘 要】
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基于已有的新型多晶硅CVD反应器，设计出有利于获得理想速度场和温度场的特殊热管结构，并对其进行了有限元强度分析和结构改进。对不同壁面发射率和不同壁面温度的热管进行了CFD
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基于已有的新型多晶硅CVD反应器，设计出有利于获得理想速度场和温度场的特殊热管结构，并对其进行了有限元强度分析和结构改进。对不同壁面发射率和不同壁面温度的热管进行了CFD仿真，计算得出：随着热管壁面温度的升高，多晶硅还原炉内环境温度也随之升高，但是多晶硅棒的总能耗与辐射能耗却随之降低；壁面温度从423K上升至623K时，硅棒总能耗和辐射能耗分别下降了2．84％和3．87％；随着发射率的降低，多晶硅还原炉内的环境温度、硅棒总能耗和辐射能耗都呈现下降趋势；硅棒的总能耗和辐射能耗分别下降了21．75％和24．4
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