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随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀、ICP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究热点进行了较为深刻的分析.
Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展
【摘 要】
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随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀、ICP刻蚀等,并对
【机 构】
：
北京工业大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2005年4期
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