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静态随机存取内存(SRAM)与缓存器(Register)在各种微处理器(Micro Processor)的应用系统中是不可或缺的数据存储元件,随着大型的嵌入式系统发展与PDA、Smart Phone的应用趋势,势必对于微处理器内部的内存与缓存器会有大量的需求。本文在介绍通过减少静态随机存取内存和缓存器的MOS元件数量来因应在相同的工艺因素、集成电路面积的要求下使微处理器系统拥有较多的内部存储空间、高密度的高速缓存,并且使用ADS(Advanced DesignSystem)软件来仿真。