切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
MCM基板电路中的短路和断路的自动光学检测算法
MCM基板电路中的短路和断路的自动光学检测算法
来源 :电子工业专用设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ccc1A2B3C
【摘 要】
:
介绍了MCM基板自动光学检测算法。该算法包括二值化处理,数学形态学中的开运算和闭运算、骨架化算法,以及特征提取和特征比对。该算法能够快速准确地抽取MCM基板电路中的主要特
【作 者】
:
姚立新
张云
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第四十五研究所
【出 处】
:
电子工业专用设备
【发表日期】
:
2006年2期
【关键词】
:
二值化处理
开运算
闭运算
骨架化算法
Threshold segmentation
Open operation
Close operation
Ske
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
介绍了MCM基板自动光学检测算法。该算法包括二值化处理,数学形态学中的开运算和闭运算、骨架化算法,以及特征提取和特征比对。该算法能够快速准确地抽取MCM基板电路中的主要特征,并且在有效放大短路和断路特征之后检测出缺陷。
其他文献
解读ITRS2002 Lithography
国际半导体技术发展路线(TheInternational Technology Roadmapfor Semiconductor)2002年版是在其前身ITRS 2001的基础上修改和推出的,是根据技术发展的历史去推测今后近期乃
期刊
国际半导体技术发展路线
ITRS2002
光刻技术
缺陷监测
曝光
套刻精度
在标准参数测试系统上开发CV分析功能——用于MOS器件参数失效分析
为了及时、直接分析PCM参数异常及电路失效原因,我们在标准参数测试系统(如HP4062,Ag 4070系列)上开发了MOS C-V测试分析功能.鉴于目前MOS工艺水平不断提高,硅表面空间电荷区
期刊
PCM参数
MOS
C—V技术
MOS结构
PCM(Process Control Monitor) parameter
MOS C-V technique
其他学术论文