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研究了p型InN的光电导效应。利用分子束外延技术（MBE）法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN。原位反射高能电子衍射（RHEED）表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜（AFM）测试结果显示台阶流的生长模式。实验发现,p型InN的光电导灵敏度随温度的升高而降低。其主要原因是当温度升高时,光生载流子浓度降低和样品背景浓度升高共同造成的。