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利用LMR-1型低频力学驰豫谱测量系统，以强迫振动方式对多孔Ni—Ti形状记忆合金进行了内耗性能测试研究。结果表明：马氏体正逆相变温度内耗表现上有峰值出现，认为是相变过程中运动或静止的界面在外加交变应力作用下驰豫造成的。
多孔Ni—Ti形状记忆合金低频内耗性能测量研究
【摘 要】
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利用LMR-1型低频力学驰豫谱测量系统，以强迫振动方式对多孔Ni—Ti形状记忆合金进行了内耗性能测试研究。结果表明：马氏体正逆相变温度内耗表现上有峰值出现，认为是相变过程中运
【机 构】
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苏州市职业大学,江苏大学
【出 处】
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苏州市职业大学学报
【发表日期】
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2007年1期
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