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利用注硅固相外延的方法对0．2μm SOS薄硅膜材料进行改性，并制作了单管pMOSFET，nMOSFET及54HC04电路，测量了单管的迁移率，并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验，发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路，不仅具有同标准0．5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性，而且具有很好的抗瞬态辐射能力，并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平。