【摘 要】
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本文用RBS及X射线衍射测量了Ti-Si界面反应生成物,证实了TiSi_2层生长服从抛物线规律,基本上是一个扩散控制过程。用离子注入Xe作标记确定了TiSi_2薄膜生长中主要扩散元素是S
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所
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本文用RBS及X射线衍射测量了Ti-Si界面反应生成物,证实了TiSi_2层生长服从抛物线规律,基本上是一个扩散控制过程。用离子注入Xe作标记确定了TiSi_2薄膜生长中主要扩散元素是Si,测量了硅化钛生长过程中相应电阻率变化。比较Darken扩散理论,讨论了标记实验对确立薄膜生长与扩散系数关系中的作用。
In this paper, the reaction products of Ti-Si interface were measured by RBS and X-ray diffraction. It is confirmed that the growth of TiSi_2 layer obeys the parabolic law and is basically a diffusion control process. The ion implantation of Xe was used as the marker to determine the main diffusion element in the growth of TiSi_2 thin film. The change of the corresponding resistivity during the growth of TiSi 2 was measured. Compared with the Darken diffusion theory, the effect of labeling experiments on the relationship between the film growth and the diffusion coefficient was discussed.
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