【摘 要】
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用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了高镉组份碲镉汞混晶(Hg_(1-x)Cd_xTe,0.55≤x≤0.84)的深能级。实验所用碲镉汞晶体用固态再结晶法制备,晶片未经定向,实验用器件在单晶粒上
【机 构】
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昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所
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用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了高镉组份碲镉汞混晶(Hg_(1-x)Cd_xTe,0.55≤x≤0.84)的深能级。实验所用碲镉汞晶体用固态再结晶法制备,晶片未经定向,实验用器件在单晶粒上制作以避免晶粒间界的影响。材料未经有意掺杂,生长出来的晶体为P型,为获得N型晶片,可
The deep level of Hg_ (1-x) Cd_xTe, 0.55≤x≤0.84) was studied by deep level transient spectroscopy (DLTS). The HgCdTe crystals used in the experiment were prepared by solid state recrystallization. The wafers were unoriented. The experimental devices were fabricated on single crystal grains to avoid the effect of grain boundaries. The material is not intentionally doped, grown out of the crystal is P-type, in order to obtain N-type wafer can be
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