【摘 要】
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以Ti、Al、C、TiC粉末为原料,研究掺杂Si及Al含量对自蔓延高温合成Ti3AlC2的影响,合成材料的X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明:物质的量比n(Ti):n(Al):n(C
【机 构】
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兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室,兰州理工大学机电工程学院,天津电力建设公司
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51161012);甘肃省自然科学基金资助项目(1014RJZA0100)
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以Ti、Al、C、TiC粉末为原料,研究掺杂Si及Al含量对自蔓延高温合成Ti3AlC2的影响,合成材料的X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明:物质的量比n(Ti):n(Al):n(C):n(TiC):n(Si)=2:1.2:1:0.9:0.1的原始混合粉末,经50 MPa压力压制的压坯在空气中自蔓延高温合成后,可获得高纯度的Ti3AlC2陶瓷材料,并且添加的Si均匀的固溶在基体中。合成的产物为片层状组织并存在极少的颗粒结构,片层状晶粒的平均尺寸为10μm左右。掺加硅时,适当增加Al含量有助于Ti3AlC2的生成。通过K-值法估算Ti3AlC2的纯度,在n(Ti):n(Al):n(C):n(TiC):n(Si)=2:1.2:1:0.9:0.1体系中,得到的Ti3AlC2陶瓷材料纯度高达97.75%。
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