【摘 要】
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模场直径作为单模光纤的一个关键参数,由基模的模场分布而决定.单模光纤基模的横向电场强度分布接近于高斯分布.通过远场可变孔径法能测量出一组多孔径远场辐射光功率数据.本
【机 构】
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上海理工大学上海市介入医疗器械工程研究中心 上海200093;上海电缆研究所 上海200093
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模场直径作为单模光纤的一个关键参数,由基模的模场分布而决定.单模光纤基模的横向电场强度分布接近于高斯分布.通过远场可变孔径法能测量出一组多孔径远场辐射光功率数据.本文将此数据转化得到光纤的出射光场分布,并使用高斯函数对出射光场分布进行数值拟合校正,最后由拟合得到的高斯函数分布求得模场直径.实验表明,标准仪器在测量条件良好条件下测得模场直径为9.090 μm,在测量条件变差时测得的模场直径为8.794 μm,存在3.2％的相对误差,而使用高斯函数拟合方法测得的前后模场直径数据为9.089 μm、9.061 μm,仅存在0.3％的相对误差.对比多次数据后发现本文方法可以有效消除在实际测量过程中的偶然误差,如由于被测光纤模场中心与透光孔中心偏离引起的测量误差,提高了模场直径测量结果的稳定性和准确性.
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