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研究了超短光脉冲在GaAs表面激发相干亚毫米波振幅随入射角变化的规律,前后向辐射比值随入射角度变化的规律,实验测量了在GaAs表面镀上极薄金属薄膜后所产生的相干亚毫米波振幅对薄膜厚度的依赖关系;利用光生载流子偶极辐射的理论模型成功地解释了实验得到的角度依赖关系和相干亚毫米波的偏振特性。
半导体中相干亚毫米波的产生和传播
【摘 要】
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研究了超短光脉冲在GaAs表面激发相干亚毫米波振幅随入射角变化的规律,前后向辐射比值随入射角度变化的规律,实验测量了在GaAs表面镀上极薄金属薄膜后所产生的相干亚毫米波振幅对薄膜厚度的依赖关系;利用光生载流子偶极辐射的理论模型成功地解释了实验得到的角度依赖关系和相干亚毫米波的偏振特性。
【机 构】
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国家自然科学基金委员会信息科学部,北京100083国防科学技术大学应用物理系,长沙410003RensselaerPolytechnicInstitute,Troy,NY12180,U.S.A.
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1996年16期
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