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本文采用CVD法，以甩涂在衬底硅片上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料，成功制备出大量GaN纳米线。采用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、能量色散谱仪（EDS）和高分辨透射电镜（HRTEM）对样品进行了成分和结构分析，并简单讨论了其生长机理。结果表明：产物为平直光滑的GaN纳米线，其直径为30nm-50nm。长度可达几十微米，纳米线为高质量的六方纤锌矿GaN晶体。